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半導體光伏廢水深度除氟樹脂

更新時間:2024-07-10 點擊量:726
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  摘要:海普開發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑,這種樹脂對水體中的氟均具有高效的選擇性,已應用于多個領域含氟廢水的處理,為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。
 
  #半導體光伏廢水深度除氟樹脂 半導體作為各種高新技術飛速發(fā)展的基礎,其重要性不言而喻。近十年來,國家相繼推出多項政策鼓勵半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,然而,快速的發(fā)展過程也帶來了污染問題。
 
  芯片生產(chǎn)廢水中的污染問題一直未被重視,其中包括高氟廢水,刻蝕母液廢水中產(chǎn)生大量的氫氟酸,氟去除難度大,需要大量投加鈣離子。
 
  彩膜廢水具有色度高的特點,有機物含有偶氮基、硫代羰基等發(fā)色基團和羥基及酰基等助色基團,脫色困難,生化性差。含磷廢水中有機磷和無機磷的濃度高。此外還有重金屬銅廢水,對微生物毒害大。傳統(tǒng)的生化工藝難以實現(xiàn)較好的去除效果,需分類治理。
 
  針對于半導體芯片染料廢水中的氟廢水的處理較棘手,工業(yè)廢水氟離子的排放標準為10ppm,但是近年來地方標準氟離子的去除提升至地表四類水1.5ppm。進水pH低且有機質(zhì)低,單一的生化或物化技術難以實現(xiàn)高氟廢水污染物的深度去除。
 
  現(xiàn)有技術通過鈣離子沉淀+絮凝沉淀可明顯降低出水氟,但是并不能深度去除氟離子,難以滿足日益嚴格的排放要求。因此亟需一種能對廢水實現(xiàn)深度、高效脫氟的工藝。
 
  傳統(tǒng)雙鈣法除氟工藝對氟的去處程度有限,不能滿足日益嚴格的廢水排放標準(出水低于1.5mg/L的深度除氟要求),因此,實現(xiàn)含氟廢水的高效深度凈化是實現(xiàn)清潔生產(chǎn)、綠色高質(zhì)量發(fā)展的關鍵問題之一。
 
  海普開發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑,這種樹脂對水體中的氟均具有高效的選擇性,已應用于多個領域含氟廢水的處理,為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。
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  海普納米除氟吸附劑的主要優(yōu)勢有:
 
  選擇性強:除氟樹脂對氟離子具有高度的選擇性,去除氟離子同時對其他陰離子和陽離子具有較低的吸附能力;
 
  吸附容量大:該型樹脂具有較高的吸附容量,可以處理大量的含氟廢水,長時間使用后仍能保持較高的吸附效率,使用壽命長;
 
  抗污染性強:該型樹脂結構及官能團特殊,不易被污染物粘附;
 
  再生性強:除氟樹脂可以脫附再生,避免了因廢棄而導致的環(huán)境污染和資源浪費。
 

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